立即询价 三星、SK 海力士宣布 Q2 DRAM 大幅涨价
发布时间：2026-03-03
据《首尔经济日报》、电子工程专辑等多家行业媒体确认，全球 DRAM 市场两大龙头 ——三星电子、SK 海力士已正式向全球客户发出通知，计划在2026 年第二季度（Q2） 对 DRAM 产品执行大幅涨价，部分中小客户涨幅或超2 倍，标志着存储芯片超级涨价周期进入新阶段。一、涨价核心信息涨价主体与时间执行方：三星电子、SK 海力士（合计占据全球 DRAM 市场超 70% 份额）。执行周期：2
据《首尔经济日报》、电子工程专辑等多家行业媒体确认，全球 DRAM 市场两大龙头 ——三星电子、SK 海力士已正式向全球客户发出通知，计划在2026 年第二季度（Q2） 对 DRAM 产品执行大幅涨价，部分中小客户涨幅或超2 倍，标志着存储芯片超级涨价周期进入新阶段。
一、涨价核心信息
- 涨价主体与时间
- 执行方：三星电子、SK 海力士（合计占据全球 DRAM 市场超 70% 份额）。
- 执行周期：2026 年 Q2 合约期，针对到期续签的新订单执行新价格。
- 通知方式：已与客户展开价格谈判，明确新季度供货将按新价执行。
- 差异化涨价幅度
- 大型客户（苹果、英伟达、云厂商等）：因长期季度 / 半年锁价协议，涨幅相对可控，预计在40%-60%，但仍显著高于历史水平。
- 中小客户 / 零散采购：无长期锁价保护，为保障稳定供货，需接受100%-200%（即 1-2 倍）的涨幅，部分紧缺型号涨幅更高。
- 高端型号（DDR5、HBM）：涨幅普遍高于普通 DDR4，其中 HBM 因 AI 服务器需求爆发，Q2 涨幅或达50% 以上。
- 价格暴涨数据（截至 2026 年 2 月）
- 主流 DDR4 8Gb：2025 年 3 月约1.3 美元→2026 年 2 月13 美元，累计涨幅近 10 倍。
- TrendForce 预测：2026 年 Q1 全球 DRAM 合约价整体涨幅90%-95%，Q2 延续暴涨趋势。
- 国家发改委 3 月 2 日监测：存储价格创 2016 年以来新高，近 1 月涨幅持续扩大。
二、涨价核心原因（供需严重失衡）
- AI 算力需求爆发（核心驱动）
- 单台 AI 服务器 DRAM 需求是传统服务器的8-10 倍，全球 AI 服务器出货量持续翻倍增长。
- 头部厂商将80% 以上先进产能转向高毛利的 HBM 等高端存储，挤压消费级 / 通用 DRAM 供应。
- 产能严重不足
- 三星当前 DRAM 产能仅能满足全球约 **60%** 的市场需求，供需缺口持续扩大。
- SK 海力士 DRAM 库存仅4 周，处于历史极低水平，无多余库存缓冲市场需求。
- 2026 年全球三大 DRAM 厂总产能仅个位数增长（SK 海力士约 7%），远低于需求增速。
- 供应链与市场情绪推波助澜
- 硅片、封装材料等上游成本上涨，叠加下游客户恐慌性囤货，进一步推高价格。
- 两大厂转向 “季度预购” 模式，新合约完全反映市场高价，无历史低价缓冲。
三、行业影响
- 下游终端成本暴涨
- 手机：同配置机型 2026 年将比 2025 年贵300-1000 元，旗舰机涨幅或超 30%，千元入门机基本绝迹。
- PC / 服务器：联想、戴尔等已发布调价函，整机涨幅500-1500 元，云服务商算力成本大幅上升。
- 行业格局重塑
- 中小终端厂商因成本压力被迫减产、涨价或减配，行业集中度提升。
- 国产存储（长鑫存储、长江存储）迎来量价齐升机遇，国产替代加速。
- 资本与市场反应
- 3 月 2 日存储芯片板块震荡，但全年业绩预期持续上调，多家国产存储厂商 2025 年净利润预增超150%。
- 三星电子 3 月 2 日市值突破万亿美元，成为韩国首家万亿市值企业，存储涨价为核心驱动力。
四、后续趋势判断
- 行业普遍预计：2026 年存储芯片涨价将贯穿全年，Q3-Q4 供需缺口或进一步扩大，价格仍有上行空间。
- 风险提示：若 AI 需求不及预期或价格过高抑制终端出货，可能引发阶段性价格回调。
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