国产芯片重大突破
发布时间:2026-03-04
1. 青岛国数微电子:高端射频芯片填补国内空白(3 月 3 日青岛发布会)
- 全链条自主可控:采用14nm 国产 CMOS 工艺,从芯片设计、晶圆制造到封装测试全流程国产化,通过工信部电子五所信创评估认证。
- 核心性能对标国际:覆盖70MHz—7.125GHz超宽频段,支持400MHz 瞬时大带宽,提供2T2R/4T4R两种收发配置,具备多通道同步、高集成、低功耗、相位一致性优等优势,可直接替代 ADI 公司 ADRV9009/ADRV9029 等国际主流高端射频芯片。
- 战略应用场景:面向低轨卫星互联网、5G-A/6G 通信、无人平台宽带数据链、雷达与电子对抗、特种通信等领域,已启动多场景适配,大幅降低关键通信设备供应链风险。
- 配套方案:同步推出的软件无线电平台,以自研芯片为核心,构建 “芯片 + 硬件 + 软件” 一体化方案,支持灵活配置与快速部署,缩短终端设备研发周期。
2. 紫光同芯:全域 eSIM 芯片 THC9E 亮相 MWC2026
- 核心能力:单芯片支持天地网络无缝切换,解决偏远地区、远洋、高空等场景 “通信失联” 问题;采用1.2V 单电源架构,休眠功耗显著降低,适配未来 3-5 年主流手机与物联网终端平台。
- 商用基础:前代 TMC-E9 系列 eSIM 芯片已获 GSMA eSA、CC EAL6 + 安全认证,全球累计出货超千万颗;THC9E 基于成熟技术迭代,已启动终端厂商适配测试。
3. 北京大学:1 纳米级超低功耗 “记忆开关” 突破(3 月 3 日《科学・进展》)
- 技术突破:工作电压仅0.6V(低于主流芯片 0.7V 标准),开关能耗较国际最优水平降低一个数量级,电压效率达 125%,首次突破铁电材料理论极限。
- 应用价值:可用于 AI 芯片、可穿戴设备、物联网传感器等,实现超长待机(如手机续航翻倍、传感器数年无需充电),推动低功耗智能硬件规模化落地。
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