国产芯片重大突破
发布时间:2026-03-04
1. 青岛国数微电子:高端射频芯片填补国内空白(3 月 3 日青岛发布会)
- 全链条自主可控:采用14nm 国产 CMOS 工艺,从芯片设计、晶圆制造到封装测试全流程国产化,通过工信部电子五所信创评估认证。
- 核心性能对标国际:覆盖70MHz—7.125GHz超宽频段,支持400MHz 瞬时大带宽,提供2T2R/4T4R两种收发配置,具备多通道同步、高集成、低功耗、相位一致性优等优势,可直接替代 ADI 公司 ADRV9009/ADRV9029 等国际主流高端射频芯片。
- 战略应用场景:面向低轨卫星互联网、5G-A/6G 通信、无人平台宽带数据链、雷达与电子对抗、特种通信等领域,已启动多场景适配,大幅降低关键通信设备供应链风险。
- 配套方案:同步推出的软件无线电平台,以自研芯片为核心,构建 “芯片 + 硬件 + 软件” 一体化方案,支持灵活配置与快速部署,缩短终端设备研发周期。
2. 紫光同芯:全域 eSIM 芯片 THC9E 亮相 MWC2026
- 核心能力:单芯片支持天地网络无缝切换,解决偏远地区、远洋、高空等场景 “通信失联” 问题;采用1.2V 单电源架构,休眠功耗显著降低,适配未来 3-5 年主流手机与物联网终端平台。
- 商用基础:前代 TMC-E9 系列 eSIM 芯片已获 GSMA eSA、CC EAL6 + 安全认证,全球累计出货超千万颗;THC9E 基于成熟技术迭代,已启动终端厂商适配测试。
3. 北京大学:1 纳米级超低功耗 “记忆开关” 突破(3 月 3 日《科学・进展》)
- 技术突破:工作电压仅0.6V(低于主流芯片 0.7V 标准),开关能耗较国际最优水平降低一个数量级,电压效率达 125%,首次突破铁电材料理论极限。
- 应用价值:可用于 AI 芯片、可穿戴设备、物联网传感器等,实现超长待机(如手机续航翻倍、传感器数年无需充电),推动低功耗智能硬件规模化落地。
相关新闻
三星 Q2 利润暴涨 1810%,利好落地引发全球芯片板块大幅跳水
一、核心业绩数据7 月 7 日早间三星电子发布 2026 年第二季度业绩预告,营业利润同比暴涨 1810%,单季营业利润约 86 万亿韩元(折合 563.5 亿美元),创下三星单季利润历史新高,连续第三个季度利润大幅攀升,官方称 2026 全年半导体业务利润有望超过过去 40 年半导体业务利润总和今日头条。业绩暴涨核心驱动力来自HBM 高带宽内存、服务器 DDR5、企业级 SSD 存储芯
2026-07-09
英伟达 GTC 2026 大会(北京时间 3 月 17 日凌晨)核心发布:Vera Rubin 全平台与 1.6nm Feynman 芯片
一、Vera Rubin AI 计算平台:七芯协同,定义 AI 超算新标准发布背景:英伟达创始人兼 CEO 黄仁勋在 GTC 2026 主题演讲中正式发布Vera Rubin平台。这并非单一 GPU,而是英伟达从 “芯片公司” 转向 “AI 基础设施公司” 的战略级产品,是一套专为智能体(Agentic AI)与超大规模 AI 集群设计的完整系统。平台以已故天文学家薇拉・鲁宾(Vera
2026-03-18
三星电子 2026 年 Q1 业绩:AI 存储驱动,单季利润创历史新高(
当地时间4 月 7 日,三星电子发布 2026 年第一季度未经审计业绩指引,核心财务数据全面炸裂,AI 服务器对 HBM、DRAM 的旺盛需求成为最核心驱动,标志着公司正式进入存储超级周期。1️⃣ 核心业绩:创季度与韩企历史双纪录整体规模:合并销售额133 万亿韩元(约6065 亿元人民币),同比 **+68.1%,环比+41.73%**。利润爆发:营业利润57.2 万亿韩元(约2608
2026-04-08
立即询价