立即询价 武汉光谷研发 250GHz 超宽带光子芯片，刷新世界纪录
发布时间：2026-05-16
一、发布主体与时间2026 年 5 月 15 日上午，国家信息光电子创新中心（NOEIC，武汉光谷） 正式对外宣布：成功自主研发250GHz 超宽带光子芯片，完全自主知识产权，带宽创全球同类器件最高纪录。二、核心参数与技术突破芯片规格尺寸：<1cm × 1mm（约指甲盖大小）带宽：250GHz（是当前 5G 核心芯片带宽的5 倍以上）核心材料：薄膜铌酸锂（TFLN）+ 磷化铟（
一、发布主体与时间
2026 年 5 月 15 日上午，国家信息光电子创新中心（NOEIC，武汉光谷） 正式对外宣布：成功自主研发250GHz 超宽带光子芯片，完全自主知识产权，带宽创全球同类器件最高纪录。
二、核心参数与技术突破
- 芯片规格
- 尺寸：<1cm × 1mm（约指甲盖大小）
- 带宽：250GHz（是当前 5G 核心芯片带宽的5 倍以上）
- 核心材料：薄膜铌酸锂（TFLN）+ 磷化铟（国产集成工艺）
- 传输性能（全球领先）
- 光纤单通道速率：512Gbps
- 1 秒可传输约15 部 4K 高清电影
- 较现有 5G 光纤骨干网速率提升 10 倍
- 太赫兹无线单通道速率：400Gbps
- 可同时支持86 个用户流畅观看8K 视频
- 实现光纤通信与太赫兹无线通信无缝融合
- 光纤单通道速率：512Gbps
- 关键衍生技术
- 基于该芯片，研发出全球首款 170GHz 强度调制器
- 已商用化，用于国产高端光通信测量设备，打破国外垄断
三、战略意义与应用场景
- 6G 通信核心硬件
- 直接支撑 **6G “空天地一体化”** 网络（地面 + 空中 + 卫星）
- 满足 AI 大模型、算力网络、超高清视频的超大带宽需求
- 国产化替代里程碑
- 全流程自主设计、自主制造、自主封装
- 摆脱高端光电子芯片对海外技术与设备的依赖
- 产业与展示
- 将于5 月 18–20 日在第二十一届中国光谷光博会首次公开展示
- 由华工科技、光迅科技等牵头推进产业化落地
四、官方评价
国家信息光电子创新中心：
“这一突破标志我国在6G 核心光电子器件领域实现从跟跑→并跑→领跑的跨越，为下一代通信与算力网络筑牢中国底层硬件底座。”
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