立即询价 SK 海力士联合闪迪正式发布全球首套 HBF 高带宽闪存开放标准
发布时间：2026-08-05
一、事件基本概况
二、官方公布核心技术参数
- 堆叠与容量：标准划定 8 层、16 层两种 NAND 闪存堆叠架构，单颗芯片最高容量可达512GB；
- 带宽分级：分为 Grade1—Grade3 三个性能档位，传输速率区间0.4TB/s～3.0TB/s，可匹配不同算力场景；
- 互联接口：原生兼容UCIe 芯粒高速互联协议，能够直接对接 GPU、CPU 等异构计算芯片，打通不同类型算力硬件的数据传输通道；
- 配套展品：同期展台首发第十代 375 层 4D NAND 闪存，性能功耗比较上代提升 2.5 倍，为 HBF 规模化量产提供底层硬件支撑SK hynix N...。
三、产品定位与产业价值
- HBM 速度极快但单价昂贵、单颗主流容量仅 36–96GB；SSD 容量充足但带宽偏低；
- HBF 依托 NAND 闪存实现大容量部署，同时拥有接近 HBM 的高速吞吐能力，用闪存的成本实现准 HBM 级带宽，精准适配 AI 推理场景海量冷热数据高频读写的刚需，能够降低 AI 集群整体存储采购成本、缓解算力集群内存带宽瓶颈。
四、国内外产业格局与对标动态
海外层面
国内层面
- 长江存储深耕 Xtacking 架构 NAND 闪存、跻身全球闪存第一梯队，后续可对接 HBF 开放标准参与生态竞争；
- 长鑫科技聚焦 DRAM 赛道推进 LPDDR6 量产，与 HBF 形成差异化布局；
- 国内算力厂商、存储芯片企业将面临两条路径：一是适配海外开放 HBF 标准融入全球生态，二是同步探索国产同类高带宽闪存技术路线，规避单一标准依赖风险。
五、行业长期影响
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