长鑫存储 LPDDR6 验证收尾,下半年量产
发布时间:2026-08-03
一、事件核心通稿(证券时报 / 第一财经 8 月 2 日综合产业消息)
二、产品完整硬件技术参数
- 颗粒规格:单颗存储颗粒容量 16Gb;
- 传输速率:设计峰值速率 12800Mbps,搭配手机 SoC 芯片稳定基础运行速率 10667Mbps;
- 封装方案:1295Ball POP 堆叠封装,内存颗粒直接堆叠在处理器上方,缩短信号传输路径、节省主板空间,适配轻薄旗舰手机、平板、便携 AIPC;
- 架构升级:采用双 12-bit 独立子通道设计,对比上代 LPDDR5X 单 16-bit 通道,AI 多任务并行带宽提升约 60%,空载时可单独关闭一组通道降低功耗;
- 能效与可靠性:全流程优化低压电路设计,整体功耗较 LPDDR5X 下降 18%;强化 RAS 故障纠错机制,降低端侧 AI 大模型持续运算时的内存误码率,适配本地多模态 AI 绘图、实时翻译、高清视频渲染等高负载场景。
三、产品研发全流程节点梳理
- 2024 下半年:长鑫存储启动 LPDDR6 自研立项,完成底层电路架构设计;
- 2025 全年:流片、基础颗粒电性测试、功耗仿真迭代;
- 2026 年 3 月:完成工程样片制作,向小米、国内安卓旗舰品牌、AI 便携设备厂商批量送样;
- 2026 年 7 月底 - 8 月初:完成跨平台软硬件兼容、高低温、耐久老化全项验证,研发验证阶段收官;
- 2026 下半年规划:启动产线良率爬坡、小批量供货客户测试,年末逐步扩大产能放量。
四、全球竞品对标格局
- SK 海力士:同期公布 LPDDR6 量产计划,量产窗口同样锁定 2026 下半年,优先供应海外高端旗舰机型;韩厂当前战略倾斜 HBM 高带宽存储,移动 LPDDR 产能小幅收缩,给长鑫留出国产终端替代窗口期;
- 三星电子:LPDDR6 样品已交付苹果测试,量产节奏略晚于长鑫、海力士,预计 2027 年初大规模出货;
- 美光:LPDDR6 研发进度滞后,2027 年上半年才具备送样能力。 行业机构测算,若长鑫下半年顺利量产,国内安卓旗舰、国产 AIPC 将率先搭载国产 LPDDR6,终端供应链摆脱对韩系存储单一依赖。
五、产业价值与市场影响解读
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供应链自主层面 移动 LPDDR 全球年市场规模超 600 亿美元,占 DRAM 整体市场 40%,也是手机、端侧 AI 核心刚需零部件。过去国内高端手机全部采用三星、海力士 LPDDR5X,长鑫 LPDDR6 落地实现国产高端移动内存从 0 到 1 突破,完善存储全产业链自主可控能力。
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消费电子与 AI 产业 当前手机端侧大模型、本地生成式 AI 对内存带宽、低功耗要求大幅提升,LPDDR6 是下一代旗舰终端标配硬件。国产自研方案可降低终端整机采购成本,推动平价 AI 手机普及。
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资本市场存储板块影响 8 月 2 日 A 股存储板块开盘异动,机构观点分化:
- 利好逻辑:长鑫突破高端 LPDDR6,验证国产 DRAM 技术迭代能力,拉动上游光刻、靶材、封装设备国产替代需求;
- 谨慎逻辑:下半年仅小批量试产,大规模放量、盈利兑现需等到 2027 年,短期以题材行情为主。
六、行业澄清关键误区
- LPDDR6≠PC 端 DDR6:台式机、服务器标准 DDR6 行业标准尚未定稿,预计 2028-2029 年商用,长鑫暂无 DDR6 量产计划;LPDDR6 仅面向移动低功耗设备;
- 本次仅完成研发验证,并非正式官宣发布、大规模量产,量产良率、客户大规模采购订单仍需后续 3-6 个月落地确认。
七、海外媒体同步报道(韩国《Digital Focus》8 月 2 日外文报道摘要)
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