长鑫科技科创板挂牌上市
发布时间:2026-07-28
一、上市基础核心信息
二、上市首日二级市场火爆表现
- 开盘阶段:集合竞价直接暴涨 471.6%,开盘总市值 3.31 万亿元,瞬间超越工商银行,登顶 A 股市值第一;
- 盘中走势:日内最高涨幅突破 535%,全天波动剧烈,资金换手充分;
- 收盘数据:最终股价定格 49 元 / 股,单日涨幅 465.82%;全天成交额 1412 亿元,刷新 A 股个股单日成交历史最高纪录;收盘总市值 3.28 万亿元,规模超过英特尔全球市值,成为全球市值最高存储芯片企业之一证券时报。 市场机构解读,千亿级单日成交反映全市场资金对国产存储自主赛道的高度一致性看好,直接带动半导体、设备、材料全板块集体走强,硬科技主线市场情绪全面回暖。
三、业绩基本面:AI 算力周期扭转十年亏损
- 2023 年归母净亏损 163.40 亿元;2024 年持续亏损 71.45 亿元;
- 2025 年行业存储价格回暖,公司首次实现全年盈利,归母净利润 18.75 亿元;
- 2026 年 AI 服务器、算力集群拉动 DRAM 需求爆发,业绩迎来指数级增长:一季度单季营收 508 亿元,归母净利润 247.62 亿元;
- 2026 上半年业绩预告:总营收 1100 亿 - 1200 亿元,同比增幅 613%~677%;归母净利润 500 亿 - 570 亿元,折算日均盈利近 3 亿元,盈利规模跻身 A 股科技企业第一梯队36氪。 业绩反转核心驱动:全球 AI 大模型训练、数据中心扩容带来海量服务器 DRAM 需求,叠加海外三星、SK 海力士、美光产能约束,存储芯片价格持续上行,国产替代份额持续提升,公司产品已批量进入阿里云、腾讯云、字节跳动国内头部算力供应链。
四、募资资金投向规划
- 存储器晶圆产线技术升级改造,投入 75 亿元;
- 新一代 1Xnm、1βnm 先进 DRAM 工艺研发与产线扩建,投入 130 亿元;
- HBM 高带宽内存、下一代前瞻存储技术长期研发,投入 90 亿元; 剩余资金配套建设国产设备、材料验证产线,持续降低产线海外设备依赖。 长期目标:突破高端服务器 DRAM、AI 专用 HBM 存储技术,缩小与海外三大存储巨头工艺代差,当前量产 1y 纳米 DRAM,第五代更先进工艺进入研发阶段,规划导入 EUV 光刻设备。
五、产业战略意义
- 打破全球存储垄断格局:全球 DRAM 市场长期由三星、SK 海力士、美光三家海外企业占据 90% 以上市场份额,长鑫是全球第四、国内唯一具备自主 DRAM 设计制造一体化能力企业,每年国内存储芯片千亿级进口需求有望大幅分流,缓解算力基础设施 “存储卡脖子” 风险;
- 完善 A 股半导体产业链拼图:此前 A 股仅有存储设计、封测、材料企业,缺失 DRAM 制造核心 IDM 龙头,长鑫上市补齐板块空白,与中芯国际形成国内半导体 “存储 + 逻辑代工” 双核心产业支柱;
- 带动全产业链国产替代:大规模扩产将持续释放半导体设备、光刻掩膜版、特种电子化学品采购需求,为北方华创、中微公司、路维光电等国产上下游企业提供大规模量产验证平台,加速国内集成电路全产业链自主可控进程证券时报;
- 重塑 A 股估值体系:长鑫科技成为 A 股三十余年发展史上,首个登顶总市值榜首的高端制造硬科技企业,改变市场长期由银行、能源、消费龙头占据市值顶端的格局,资金开始为底层核心技术、产业链安全赛道支付长期估值溢价。
六、行业潜在风险提示
一、上市基础核心信息
二、上市首日二级市场火爆表现
- 开盘阶段:集合竞价直接暴涨 471.6%,开盘总市值 3.31 万亿元,瞬间超越工商银行,登顶 A 股市值第一;
- 盘中走势:日内最高涨幅突破 535%,全天波动剧烈,资金换手充分;
- 收盘数据:最终股价定格 49 元 / 股,单日涨幅 465.82%;全天成交额 1412 亿元,刷新 A 股个股单日成交历史最高纪录;收盘总市值 3.28 万亿元,规模超过英特尔全球市值,成为全球市值最高存储芯片企业之一证券时报。 市场机构解读,千亿级单日成交反映全市场资金对国产存储自主赛道的高度一致性看好,直接带动半导体、设备、材料全板块集体走强,硬科技主线市场情绪全面回暖。
三、业绩基本面:AI 算力周期扭转十年亏损
- 2023 年归母净亏损 163.40 亿元;2024 年持续亏损 71.45 亿元;
- 2025 年行业存储价格回暖,公司首次实现全年盈利,归母净利润 18.75 亿元;
- 2026 年 AI 服务器、算力集群拉动 DRAM 需求爆发,业绩迎来指数级增长:一季度单季营收 508 亿元,归母净利润 247.62 亿元;
- 2026 上半年业绩预告:总营收 1100 亿 - 1200 亿元,同比增幅 613%~677%;归母净利润 500 亿 - 570 亿元,折算日均盈利近 3 亿元,盈利规模跻身 A 股科技企业第一梯队36氪。 业绩反转核心驱动:全球 AI 大模型训练、数据中心扩容带来海量服务器 DRAM 需求,叠加海外三星、SK 海力士、美光产能约束,存储芯片价格持续上行,国产替代份额持续提升,公司产品已批量进入阿里云、腾讯云、字节跳动国内头部算力供应链。
四、募资资金投向规划
- 存储器晶圆产线技术升级改造,投入 75 亿元;
- 新一代 1Xnm、1βnm 先进 DRAM 工艺研发与产线扩建,投入 130 亿元;
- HBM 高带宽内存、下一代前瞻存储技术长期研发,投入 90 亿元; 剩余资金配套建设国产设备、材料验证产线,持续降低产线海外设备依赖。 长期目标:突破高端服务器 DRAM、AI 专用 HBM 存储技术,缩小与海外三大存储巨头工艺代差,当前量产 1y 纳米 DRAM,第五代更先进工艺进入研发阶段,规划导入 EUV 光刻设备。
五、产业战略意义
- 打破全球存储垄断格局:全球 DRAM 市场长期由三星、SK 海力士、美光三家海外企业占据 90% 以上市场份额,长鑫是全球第四、国内唯一具备自主 DRAM 设计制造一体化能力企业,每年国内存储芯片千亿级进口需求有望大幅分流,缓解算力基础设施 “存储卡脖子” 风险;
- 完善 A 股半导体产业链拼图:此前 A 股仅有存储设计、封测、材料企业,缺失 DRAM 制造核心 IDM 龙头,长鑫上市补齐板块空白,与中芯国际形成国内半导体 “存储 + 逻辑代工” 双核心产业支柱;
- 带动全产业链国产替代:大规模扩产将持续释放半导体设备、光刻掩膜版、特种电子化学品采购需求,为北方华创、中微公司、路维光电等国产上下游企业提供大规模量产验证平台,加速国内集成电路全产业链自主可控进程证券时报;
- 重塑 A 股估值体系:长鑫科技成为 A 股三十余年发展史上,首个登顶总市值榜首的高端制造硬科技企业,改变市场长期由银行、能源、消费龙头占据市值顶端的格局,资金开始为底层核心技术、产业链安全赛道支付长期估值溢价。
六、行业潜在风险提示
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