长鑫科技科创板 IPO 过会
发布时间:2026-05-28
- 国内唯一、全球第四大 DRAM 厂商:继三星、SK 海力士、美光之后,全球第四家具备 DRAM 完整设计与制造能力的企业,也是中国大陆唯一实现 DRAM 大规模商业化量产的公司。
- 业务范围:12 英寸晶圆制造、DRAM 芯片设计、封测与销售,产品覆盖消费电子、服务器、AI 数据中心、车载等领域。
- 募资总额 295 亿元,为2026 年 A 股最大 IPO、科创板历史第二大 IPO(仅次于中芯国际 532 亿元)。
- 投向三大方向:
- 存储器晶圆制造量产线升级:75 亿元,提升现有 12 寸产线良率与产能。
- DRAM 技术升级:130 亿元,推进 17nm→14nm→12nm 工艺迭代,提升密度与能效。
- 前瞻研发(含 HBM):90 亿元,布局 HBM 高带宽内存、存内计算、AI 专用存储等下一代技术,2026 年底启动 HBM 产线建设。
- 营收:508 亿元,同比 + 719.13%
- 归母净利润:247.62 亿元,同比扭亏为盈(去年同期亏损)
- 日均盈利:约 2.75 亿元
- 2026 年上半年预告:营收 1100–1200 亿元(同比 + 612%–677%);净利润 500–570 亿元(同比 + 2244%–2544%),半年净利有望超 500 亿。
- 现有产能:合肥、北京共 3 座 12 寸晶圆厂,当前月产能 20 万片(约占全球 DRAM 产能 5%)。
- 2026 年底目标:月产能30 万片,市场份额提升至 7%–8%。
- HBM 布局:依托 IPO 募资,2026 年内开工建设 HBM 产线,2027 年底量产,切入 AI 服务器高带宽内存赛道。
- 上市委重点问询:全球 DRAM 格局、AI 存储需求波动、技术迭代风险、股权激励合规性,公司回复无重大风险,无进一步落实事项上海证券交易所。
- 产业意义:打破日韩美在 DRAM 领域的长期垄断,补齐中国半导体存储 “卡脖子” 短板;在 AI 驱动的存储超级周期中,长鑫有望成为全球存储产业的重要一极。
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