立即询价 三星NAND涨价100%，存储芯片迎来超级周期
发布时间：2026-01-27
在内存之后，闪存价格也开始暴涨。据韩国《电子时报》报道，三星电子今年第一季度要将NAND闪存的供应价格上调100%以上，这一涨幅远超市场预期，凸显了当前存储芯片市场严重的供需失衡情况。
有多家机构分析认为，AI浪潮所带来的内存市场价格上涨已经波及全球，并且还将继续影响2026年供应链和消费市场。
存储芯片迎来超级周期
不久前，三星电子、SK海力士等存储头部企业一季度的服务器DRAM价格已经上涨了60%-70%。有知情人士透露，三星电子于去年年底完成了与主要客户的供应合同谈判，并从1月起正式实施新的价格体系。
目前，该公司已着手与客户就第二季度的NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预计价格上涨的势头将在第二季度延续。
从市场情况来看，据TrendForce报告，2026年第一季度，DRAM合同价格预计环比上涨55-60%，NAND闪存价格预计上涨33-38%。
一些报告显示，DRAM现货价格已上涨约40-50%，甚至在某些市场达到170%的涨幅。 NAND闪存也随之水涨船高，导致SSD等存储产品价格持续攀升。 整体来看，这种上涨趋势从2025年底开始加剧，并可能持续到2027年。
而NAND价格之所以快速攀升，有业内人士认为主要原因有两点，一方面在于需求的持续扩大。伴随着AI基础设施投资的增加，企业级固态硬盘需求在显著增长。
例如OpenAI等公司已占据全球DRAM供应的约40%。 这使得内存制造商（如三星、SK海力士、美光）将生产重点转向AI相关产品，挤压了消费级市场的供应。
另一方面，移动设备和PC也在加快搭载高性能、大容量的存储方案。尤其是在终端设备直接进行AI运算的边缘侧AI趋势的推动下，对于高规格存储的需求也在进一步放大。
值得注意的是，HBM正在吞噬整个DRAM产能。一方面在于HBM价格是普通DRAM的5-10倍。并且制造复杂度极高，同样一片晶圆，HBM产出要比普通DRAM少甚多。
因此对于厂商的理性选择，就是将有限的晶圆，全部优先供给HBM。路透社直接称这一轮为memory super cycle（存储超级周期），并表示影响将持续到2027年以后。
据市场机构Tom’s Hardware测算的一个惊人数字显示，2026，全球约70%的内存产能将被数据中心吞掉，而剩下的30%才会分给PC、手机、工控及消费电子。
而到了NAND，主要是过去几年市场实在太过惨烈，在2023、2024这两年闪存市场严重过剩，导致价格崩盘。因此到了2025年，厂商开始主动削减QLC以及消费级NAND，转向生产企业级SSD、AI存储等产品。
但产能减的太过夸张，据Tom’s Hardware数据，一块30TB的企业级SSD，在2025年第二季度价格约为3000美元，到了2026年一季度，已经涨到了11000美元，涨幅高达257%。而同期的HDD只涨了35%左右，导致SSD比HDD要贵上16倍。
此外，地缘政治和供应链中断也加剧了市场的不确定性，但当前主要仍然是需求驱动。因此，三星电子、SK海力士此次将NAND再次上调100%，是看准了市场有价无市。
存储缺口到底有多大？
想要具体量化DRAM和NAND的总缺口，是很难精确计算的。但我们可以进行大概的预估，尤其从去年下半年，市场开始传出存储即将缺货的消息时，下游的企业开始明显加大采购、提前囤货。
有行业人士透露，大型模组厂实际拿到的颗粒，有时只有原需求量的30%–50%；拿到手的少，又怕后面拿不到，只能“有钱先囤”。而一些服务器内存、企业级SSD等高价值产品，被大量贸易商和资金方高价囤货，赌原厂持续控产、价格持续攀升，这也进一步加剧了现货市场的紧张。
从市场的供给来看，NAND Flash的bit供给增速在13%-18%，而需求增速则在18%-23%，也就是说即便在扩产的情况下，需求端每年仍比供给端多出约5个百分点左右的速度差。
而在DRAM市场，据Omdia的数据，2026年，三星、SK海力士、美光三大DRAM厂的晶圆总产出预计同比增长约5%，达到约1800万片（等效 12 英寸）。而DRAM的需求增速在20%-25%，而供应增速则在15%-20%。
与此同时，北美的云厂商从2025年底开始，便提前锁定2027年供货产能，用捆绑式谈判来锁定采购量及价格条件，例如铠侠在2025年的NAND产能已经全部售罄。这些云厂商拿到了几乎所有的新增bit供给，这意味着哪怕产能上升，也没有PC、手机、嵌入式等应用的份额。
从产业链调研的实际情况来看，大型模组厂实际拿到的颗粒，仅相当于原先需求的30%-50%。很多手机、PC 品牌厂今年能拿到的供应量，也只有原本计划的50%-70%。但有趣的是，AI和服务器市场已预售大部分产能，甚至2026年的HBM内存已售罄。
供应的减少只能导致产品成本的上升，有PC OEM表示，内存成本占整个BOM比例已经从过去的15%-18%来到了35%-40%。
例如NAND闪存，消费级产品被大幅减产能，而企业级/AI存储需求则饱满，目前数据中心的SSD交期已经普遍来到了6-9个月，部分型号甚至要排到2027年。对此，IDC判断，这轮闪存的紧张至少要持续到2027年。
大摩则认为，存储成本压力会导致大多数OEM厂商在2026年上半年大幅提价，继而导致安卓手机和Windows PC全年出货量下滑。此外硬盘的供应短缺加剧，未来12个月供需缺口有可能扩大至200EB。
那么这一轮存储超级周期的行业要持续到什么时候才能结束呢？从整个市场行情来看，暂时还不明朗。一个是市场急需的HBM扩产很慢，新产线投入周期在18-24个月。第二是AI需求也没有减速的迹象，尽管美国业界已经在提醒AI泡沫，但目前来看还为时尚早。
总结
本轮的内存和闪存价格的暴涨，本质上是AI基建的快速扩张吃掉了绝大多数的新增产能，加上原厂的主动控制和分类供给，以及渠道商的恐慌性囤货导致的结构性短缺。行业普遍预期这轮存储超级周期将维持到2027年，同时价格中枢整体抬升，但是涨速可能会在之后的几个季度逐步趋缓。
相关新闻
英特尔 + 力积电 + 软银将展示 9 层 DRAM 堆叠，AI 内存功耗大降
集邦咨询 5 月 22 日发布博文，基于VLSI 2026（夏威夷）会议泄露的预发布摘要：力积电（PSMC）、英特尔、软银旗下 SAIMEMORY将联合展出新一代Via‑in‑One TSV架构，用于9 层 DRAM 堆叠，面向AI 训练 / 推理、高性能计算（HPC）场景，主打更高带宽、更低数据搬运功耗。一、合作背景：ZAM 项目扩军英特尔与 SAIMEMORY 此前已在推进Z‑Ang
2026-05-23
最近和几个做芯片设计的老朋友聊着聊着就感慨：以前是捧着钱还担心排不上产能，现在居然有代工厂的销售主动来问“有没有需求，价格可以谈”。这风向，变得有点快。所以，一个现实的问题摆在了面前：那个我们熟悉的、残酷的芯片代工价格战，它真的要卷土重来了吗？我的看法是，别急着下结论。这次的情况，比以往任何一次都要复杂。市场正在上演一场“冰与火之歌”，价格压力是结构性的，而非全局性的。首先，“冰”的一面确实存在，
2026-02-04
高灵敏度、防水性强、抗干扰性强的16通道电容式触摸芯片助力智能门锁方案-GT316L
GT316L是一款功能强大的电容式触摸芯片，它支持16通道触摸感应输入，适用于多种形式的触摸按键控制；具备低功耗、强大的防水与抗干扰性能，且支持多种通信协议和灵活配置；在抗EMC、EMI、硬件变化、电压干扰、温度漂移和湿度漂移等方面优异，在各种触摸应用中遇到的CS和EFT噪声环境下不会产生任何问题；符合国家强电测试标注，能过高压测试，能过注入电流测试;适应各种复杂电磁环境，工作性能稳定。被广泛应用
2025-11-26
