立即询价 三星万亿级半导体扩产全面提速，龙仁国家级芯片产业园首座晶圆厂投产时间直接提前 1~2 年至 2029 年
发布时间：2026-07-13
一、消息来源与发布时间2026 年 7 月 12 日韩联社率先对外披露行业知情人士消息，后续 IT 之家、财联社、36 氪、券商中国等多家财经与科技媒体同步转载确认该计划，本次工期调整属于三星与韩国政府政企协同敲定的战略提速方案IT之家。二、原计划与最新工期变更龙仁先进系统半导体产业集群是韩国国家级核心战略产业园，坐落于首尔以南京畿道龙仁市，三星原本规划在园区内落地6 座大型晶
一、消息来源与发布时间
2026 年 7 月 12 日韩联社率先对外披露行业知情人士消息，后续 IT 之家、财联社、36 氪、券商中国等多家财经与科技媒体同步转载确认该计划，本次工期调整属于三星与韩国政府政企协同敲定的战略提速方案IT之家。
二、原计划与最新工期变更
龙仁先进系统半导体产业集群是韩国国家级核心战略产业园，坐落于首尔以南京畿道龙仁市，三星原本规划在园区内落地6 座大型晶圆制造工厂，原定首座工厂正式投产运营时间为2030 年 —2031 年；经过工期压缩与前置筹备，最新目标投产年份锁定2029 年，整体建设周期最大缩短 2 年，最少提前 1 年落地产能。
该方案早在 6 月 6 日韩国总统主持召开的大型国家级项目政企联合推进会上完成专项研讨审批，韩国国土交通部也将该产业园整体规划审批流程较原定 2027 年一季度提前 3 个月完成，从政策端扫清土地征收、基建审批、配套管线施工等前置障碍，全力配合三星赶工建设进度华尔街见闻。
三、整体巨额投资规划明细
- 平泽 + 龙仁两大半导体核心产业集群：总投资额2030 万亿韩元，折合美元约1.35 万亿美元，是三星史上单笔规模最大的半导体长期投资计划，覆盖先进制程逻辑芯片、HBM 高带宽存储、3D NAND 闪存全品类产线建设。
- 新增光州板块布局：额外追加400 万亿韩元专项投入，在首尔以南 270 公里光州地区新建两座专业化芯片工厂，完善韩国本土多区域半导体产能布局，分散单一园区供应链风险36氪。
四、工期倒排硬性施工节点
行业通用先进制程晶圆厂完整土建 + 设备搬入 + 试产周期约 2 年，为严格兑现 2029 年投产目标，三星敲定刚性时间线：
- 2026 年下半年：龙仁园区地块平整、土地收尾、施工招标、水电管网预埋全部启动；
- 2027 年内：首座晶圆厂房主体结构必须全面开工建设；
- 2028 年完成洁净车间装修、光刻机等核心设备进场安装调试；
- 2029 年正式量产交付客户订单财联社。
项目落地后不仅扩充三星自身芯片制造产能，还会同步带动韩国本土半导体材料、特种气体、精密零部件、检测设备上下游产业链集群同步落地成型，强化韩国在全球存储与先进代工领域的产业壁垒华尔街见闻...。
五、本次大幅提速的核心底层原因
全球 AI 大模型、AI 服务器算力需求爆发，HBM 高带宽内存、4nm 及以下先进工艺 AI 芯片长期处于供不应求状态，头部云厂商、AI 企业均与存储及代工厂签订 3~5 年长单锁定产能，现货市场几乎无余量货源。
三星判断 2027 至 2030 年全球算力芯片缺口会持续放大，若按照原有 2030 年后投产节奏，将彻底错失本轮 AI 算力硬件扩张红利；提前投产可更早承接英伟达、谷歌、亚马逊等海外大客户长期代工与 HBM 供货订单，正面对抗台积电先进代工份额、SK 海力士 HBM 存储市场优势，扭转近两年在高端芯片订单上的被动局面。
六、同步配套产品量产动态
在园区扩产消息同日，三星官宣新一代4nm 工艺控制器搭配第六代 V-NAND 架构的企业级 SSD 型号 PM1763 正式批量量产，该硬件产品专门适配英伟达下一代 Vera Rubin AI 服务器整机平台，作为 AI 算力集群配套存储硬件同步放量出货，与龙仁新工厂远期产能规划形成产品端协同。
七、行业机构风险点评
- 正面：锁定中长期 AI 硬件增量市场，稳固三星全球第二大晶圆代工厂、第一大存储芯片厂商地位；
- 潜在风险：万亿级别资本开支会大幅抬升三星固定资产折旧压力；若后续全球 AI 行业资本投入降温、算力需求不及预期，极易出现产能过剩、库存积压问题；同时先进制程良率爬坡速度、海外设备供应稳定性，会直接决定新工厂能否按期达标交付产能。
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