立即询价 SK 海力士 375 层 NAND 完成验证，2026 年底清州 M15 量产，字线全面钼替代钨
发布时间：2026-06-12
一、核心量产规划
- 产线安排：不新建厂房，改造韩国清州 M15 工厂现有产线。M15 原本量产 176 层、238 层、321 层 NAND，改造后逐步置换产能生产 375 层新品，大幅压低建厂巨额资本投入。
- 层数调整背景：该项目最初内部定位 400 层级 NAND，因超高堆叠下信道孔深度蚀刻、薄膜均匀度等工艺难题难以短期攻克，下调至 375 层落地；远期技术路线已锁定 480 层、604 层两代更高层数产品接续迭代。
二、颠覆性技术：钼（Mo）全面替换传统钨（W）做字线
1. 字线作用
2. 传统钨材料的瓶颈
- 层数拉高、线宽不断微缩后，钨电阻率急剧升高，信号传输延迟变大，读写、擦除速度被限制，无法匹配 AI 服务器高速 SSD、企业级大容量存储需求；
- 钨沉积填充深窄孔洞前，必须先镀一层氮化钛阻挡衬垫层，层层叠加占用垂直堆叠空间，挤压单位面积比特容量上限。
3. 钼材料两大核心优势
- 同等细线宽下电阻率远低于钨，信号损耗小，直接提升闪存读写性能，适配 AI 高速存储场景；
- 无需额外阻挡衬底，可直接填充深孔结构，节省垂直空间，同等堆叠高度下能塞更多存储单元，提升芯片密度。
三、制程设备与工艺难点
四、全球同行进度对比
- 三星：行业率先商用钼方案，2024 年 4 月量产 286 层第九代 NAND 时已导入钼字线；其 400 层 + 第十代 NAND 计划 2026 下半年出货，全程钼基架构；
- 美光：规划 2027 年高端超高层 NAND 全线切换钼替代钨； 至此全球三大存储巨头全部确认 “钼替代钨” 是 400 层以上 NAND 唯一可行技术路线，宣告存储芯片正式进入钼金属时代。
五、市场连锁反应
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