全球首次!国防科大 + 中科院实现 P 型二维半导体晶圆级量产


国防科技大学前沿交叉学科学院联合中国科学院金属研究所团队发布重磅突破:全球首次实现高性能氮化钨硅(WSi₂N₄)P 型二维半导体的晶圆级可控生长,相关成果发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。这一突破破解了二维半导体领域 “N 型多、P 型缺” 的结构性失衡,为后摩尔时代自主可控芯片奠定核心材料基础。核心技术突破1. 独创生长工艺,攻克量产瓶颈团队首创液态金 / 钨双金属薄膜衬底

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